提要： 22届Finetech 主办单位邀请到川西刚等技术专家精心规划了数十场的专门技术研讨会，来自海内外的与会者穿梭在会议栋的各楼层之间，挤爆各会议室。以下将提供两场第一天的精彩演讲内容：下一代氧化物半导体TFT的最新技术

22届Finetech 主办单位邀请到川西刚等技术专家精心规划了数十场的专门技术研讨会，来自海内外的与会者穿梭在会议栋的各楼层之间，挤爆各会议室。以下将提供两场第一天的精彩演讲内容：下一代氧化物半导体TFT的最新技术

这场研讨会主要探讨三个主题：(一)氧化物半导体TFT的现状与未来展望，(二)高机能氧化物半导体TFT在AM-OLED面板之发展技术，(三)IGZO氧化物半导体膜层量产技术发表，分别简介如下。

氧化物半导体TFT的现状与未来展望

演讲人为Ukai Display Device Institute的Yasuhiro Ukai代表。讲者一开始就开玩笑地说：氧化物半导体TFT在AM-OLED面板产品发表上市需要投保较高的产品保险，因为有回收产品的风险。报告内容主要针对目前的技术内容及未来性做一阐述，首先介绍氧化物半导体TFT的材料结构与应用性如下：

1. 材料上分成结晶与非结晶性氧化物半导体TFT，而结晶性氧化物半导体TFT的电子迁移率较高，可达到30~50cm2V-1s-1。
2. TFT 元件结构以Self-aligned Top-gate为主
3. S/D 材料则以 W，Al，Cu
4. 未来应用有感测器透明半导体元件等

接着说明目前世界上发展氧化物半导体TFT的公司近况、技术优势与未来发展方向。他提出以现在的TFT制程在镀制薄膜时腔体的污染不可避免对良率是一大挑战，而此问题在第三单元也对应提出不同的TFT制程SOLUTION，而在材料发展上，则认为需要开发P型CMOS结构氧化物半导体TFT，将可在特性上大幅提升，而薄膜制程方面，溶液涂布法将会是未来趋势，因为在未来软性基板的应用上，成本及卷对卷制程技术将会领导整个软性电子的制程发展。最后的结埨整理如下：

A. Self-aligned top gate TFT structure can realize the large-sized and ultra-high definition TFT-LCD and AMO-LED
B. Reduction of the number of mask is important from the standpoint of yield and productivity on investment.
C. The built-in circuit to the display for mobile devices is necessary in order to reduce power consumption CMOS circuit technology
D. Sputtering process is impossible to be cleaned in situ. As a result，the yield of process and equipment utilization is key issue
E. On the other hand，the solution process，there are many advantages from the viewpoint of effective utilization of resources can be film deposition in the atmosphere

(2) 高机能氧化物半导体TFT在AM-OLED面板发展技术

主讲人是Sony group的Narihiro Morosawa经理。他主要谈Self-aligned Oxide TFT，内容有Al reaction method for source/drain，characteristics of Self-aligned Oxide TFT，polycrystalline oxide TFT。
首先介绍SONY 在AM-OLED的技术发展历史并提出 Features of OLED Displays 须符合几点：

a. High contrast Complete black Realistic color re-creation even in the dark image
b. Ultra-thin/light ‘paper-like’
c. High speed Adaptable motion picture
d. Requirements for TFT to drive OLED Display
Mobility
Mask number
Reliability
Plate size
Uniformity
Capacitance

演讲主要说明如何在Self-aligned top gate TFT structure上解决电极与保护层(止水止气)，其利用溅镀铝层使其与氧化才有好的接触阻抗，再利用氧化反应使其表面形成氧化铝薄膜达到保护与电极的设计，此设计使氧化物半导体具有stable to thermal anneal and high electrical reliability。

结论整理如下：

1. Self-aligned Oxide TFT by Al reaction method
Can be fabricated by 4 mask count
Has short channel length and small parasitic capacitance
Has good characteristics and reliabilities
Can demonstrate uniform brightness AM-OLED

2. Poly-IGO TFT
Has high mobility more than 20 cm2/VS
Has wide process window due to tolerance for wet etchant
Has uniform TFT characteristics

IGZO氧化物半导体膜层量产技术

主讲人为千叶超材料研究所的仓田敬臣室长。此场演讲主要包含三个部分；首先提出一新的ULVAC Solution for IGZO。Process 有别于原先TFT的制程设计概念，第二部分则提出靶材Target与Sputtering的问题，即提出AC Sputtering 解决Target Crack and Nodule提高其靶材利用率与均匀性，第三部分则以不同世代的制程来验证此ULVAC Solution的结果。 第三部分实验的验证部分：

1. Stability of IGZO process (generation 4)
Deposition rate
TFT characteristic

2. Uniformity of IGZO TFTs (generation8)
Good TFT characteristics
High deposition rate

3. High deposition rate for productivity (generation 8)
4. Stability of IGZO Target
Concentration
Density
Resistivity

这场汇聚新技术、新制品的国际显示盛会正在东京热烈展开，更多精彩而深入的内容敬请锁定材料世界网后续的相关报导。

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